single-electron transistor
- single-electron transistor
Single-Electron Transistor
Одноэлектронный транзистор
Наноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.
Схема одноэлектронного транзистора.
Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.
Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М..
В.В.Арсланов.
2009.
Смотреть что такое "single-electron transistor" в других словарях:
Single molecule electronics — is a branch of molecular electronics that uses single molecules as electronic components. Because single molecules constitute the smallest stable structures imaginable this miniaturization is the ultimate goal for shrinking electrical circuits.… … Wikipedia
Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia
Electron — For other uses, see Electron (disambiguation). Electron Experiments with a Crookes tube first demonstrated the particle nature of electrons. In this illustration, the profile of the cross shaped target is projected against the tube face at right… … Wikipedia
transistor — /tran zis teuhr/, n. 1. Electronics. a semiconductor device that amplifies, oscillates, or switches the flow of current between two terminals by varying the current or voltage between one of the terminals and a third: although much smaller in… … Universalium
Electron mobility — This article is about the mobility for electrons and holes in metals and semiconductors. For the general concept, see Electrical mobility. In solid state physics, the electron mobility characterizes how quickly an electron can move through a… … Wikipedia
Single event upset — A single event upset (SEU) is a change of state caused by a low energy ions or electro magnetic or nuclear radiation interferences strike to a sensitive node in a micro electronic device, such as in a microprocessor, semiconductor memory, or… … Wikipedia
Ein-Elektron-Transistor — Energiezustände eines SET in Sperr und Durchlassschaltung. Als Einzelelektronentransistoren, auch Ein Elektron Transistoren, (engl. single electron transistors, SET) bezeichnet man elektronische Bauelemente, die zu einem bestimmten Zeitpunkt nur… … Deutsch Wikipedia
Organic field-effect transistor — OFET based flexible display An organic field effect transistor (OFET) is a field effect transistor using an organic semiconductor in its channel. OFETs can be prepared either by vacuum evaporation of small molecules, by solution casting of… … Wikipedia
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… … Wikipedia
Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.