chemical beam epitaxy

chemical beam epitaxy
 Chemical Beam Epitaxy
 (CBE)
 Хемоэпитаксия
  Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, в результате которого образование новой фазы происходит при химическом взаимодействии вещества подложки с веществом, поступающим из внешней среды. Полученный хемоэпитаксиальный слой отличается по составу как от вещества подложки, так и от вещества, поступающего на ее поверхность извне.

Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.. . 2009.

Игры ⚽ Поможем сделать НИР

Смотреть что такое "chemical beam epitaxy" в других словарях:

  • Chemical beam epitaxy — (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular… …   Wikipedia

  • chemical beam epitaxy — noun a form of molecular beam epitaxy that uses a gaseous source …   Wiktionary

  • Molecular beam epitaxy — A simple sketch showing the main components and rough layout and concept of the main chamber in a Molecular Beam Epitaxy system Molecular beam epitaxy (MBE) is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late… …   Wikipedia

  • Molecular-beam epitaxy — (MBE), is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late 1960s at Bell Telephone Laboratories by J. R. Arthur and Alfred Y. Cho.MethodMolecular beam epitaxy takes place in high vacuum or ultra high vacuum (10−8… …   Wikipedia

  • epitaxy — /ep i tak see/, n., pl. epitaxies. Crystall. epitaxis. * * * ▪ crystallography       the process of growing a crystal of a particular orientation on top of another crystal, where the orientation is determined by the underlying crystal. The… …   Universalium

  • Epitaxy — refers to the method of depositing a monocrystalline film on a monocrystalline substrate. The deposited film is denoted as epitaxial film or epitaxial layer. The term epitaxy comes from a Greek root ( epi above and taxis in ordered manner ) which …   Wikipedia

  • Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia

  • Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia

  • Chemical vapour deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia

  • Metalorganic vapour phase epitaxy — (MOVPE), also known as organometallic vapour phase epitaxy (OMVPE) or metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), is a chemical vapour deposition method of epitaxial growth of materials, especially compound semiconductors from the surface… …   Wikipedia


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»