heteroepitaxy


heteroepitaxy
 Heteroepitaxy
 Гетероэпитаксия
  Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но близкого ему по кристаллографической структуре. Методом гетероэпитаксии создаются гетеропереходы, на границе которых происходит изменение свойств материала: структуры энергетических зон, ширины запрещенной зоны и т.д.

Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.. . 2009.

Смотреть что такое "heteroepitaxy" в других словарях:

  • heteroepitaxy — įvairialytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heteroepitaxy vok. Heteroepitaxie, f rus. гетероэпитаксия, f pranc. hétéroépitaxie, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • heteroepitaxy — noun A form of epitaxy in which one kind of crystal is grown upon the surface of a different type Ant: homoepitaxy …   Wiktionary

  • гетероэпитаксия —  Heteroepitaxy  Гетероэпитаксия   Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но близкого ему по кристаллографической структуре. Методом гетероэпитаксии создаются… …   Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.

  • Epitaxy — refers to the method of depositing a monocrystalline film on a monocrystalline substrate. The deposited film is denoted as epitaxial film or epitaxial layer. The term epitaxy comes from a Greek root ( epi above and taxis in ordered manner ) which …   Wikipedia

  • Aluminium gallium indium phosphide — (AluminumGalliumIndiumPhosphorus, also AlInGaP, InGaAlP, etc.) is a semiconductor material.AlGaInP is used in manufacture of light emitting diodes of high brightness red, orange, green, and yellow color, to form the heterostructure emitting light …   Wikipedia

  • Resonant tunnelling diode — A resonant tunnel diode (RTD) is a device which uses quantum effects to produce negative differential resistance (NDR). As an RTD is capable of generating a terahertz wave at room temperature, it can be used in ultra high speed circuitry.… …   Wikipedia

  • Gallium indium arsenide antimonide phosphide — (GalliumIndiumArsenicAntimonyPhosphorus or GaInPAsSb) is a semiconductor material.Research has shown that GaInAsSbP can be used in the manufacture of mid infrared light emitting diodes [Room temperature midinfrared electroluminescence from… …   Wikipedia

  • Herbert Mataré — Herbert F. Mataré (1950) Herbert Franz Mataré (* 22. September 1912 in Aachen; † 2. September 2011[1]) war ein deutscher Physiker. Der Schwerpunkt seiner Forschungen lag auf dem Gebiet der Halbleiterforschung. Seine bekannteste Arbei …   Deutsch Wikipedia

  • гетероэпитаксия — Термин гетероэпитаксия Термин на английском heteroepitaxy Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероструктура полупроводниковая, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия молекулярно лучевая, метод… …   Энциклопедический словарь нанотехнологий

  • crystal — crystallike, adj. /kris tl/, n., adj., v., crystaled, crystaling or (esp. Brit.) crystalled, crystalling. n. 1. a clear, transparent mineral or glass resembling ice. 2. the transparent form of crystallized quartz. 3. Chem., Mineral. a solid body… …   Universalium

Книги