ионоселективный полевой транзистор

 ISFET

 (Ion Selective Field Effect Transistor)

 Ионоселективный полевой транзистор (ИСПТ)

  Среди электрохимических сенсоров получили распространение миниатюрные устройства, основанные на полевых транзисторах. В них металлический контакт затвора транзистора заменен химически чувствительным слоем и электродом сравнения. В этом случае затвор представляет собой металлический слой, покрытый чувствительным материалом. Взаимодействие определяемого компонента с материалом затвора вызывает изменение электрического поля в области затвора и, следовательно, порогового потенциала и тока в транзисторе, что и обусловливает аналитический сигнал. Например, Na+-селективный ИСПТ изготавливают путем нанесения в область затвора боросиликатного стекла, для К+- селективного сенсора в область затвора помещают полимерную мембрану, содержащую валиномицин или краун-эфир.

 

 Конструкция ионоселективного полевого транзистора. 1 - ионоселективная мембрана; 2 - сток и исток; 3 - изолирующий материал (диоксид кремния); 4 - кремниевое основание; 5 - электрод сравнения