эпитаксия
21эпитаксия из паровой фазы — garinė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor phase epitaxy vok. Dampfphasenepitaxie, f; Epitaxie aus der Dampfphase, f rus. эпитаксия из паровой фазы, f pranc. épitaxie en phase vapeur, f …
22эпитаксия из паровой фазы на плавающих пластинах — garinė epitaksija ant plūduriųjų plokštelių statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vapor levitation epitaxy vok. Dampfphasenepitaxie auf dem Levitationszustandswafer, f rus. эпитаксия из паровой фазы на плавающих пластинах, f pranc …
23эпитаксия при пониженном давлении — mažaslėgė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reduced pressure epitaxy vok. Epitaxie bei reduziertem Druck, f rus. эпитаксия при пониженном давлении, f pranc. épitaxie à pression réduite, f …
24эпитаксия из твёрдой фазы — kietafazė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. solid phase epitaxy; solid state epitaxy vok. Festphasenepitaxie, f rus. эпитаксия из твёрдой фазы, f pranc. épitaxie en phase solide, f …
25эпитаксия кремния — silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon epitaxy vok. Siliziumepitaxie, f rus. эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium, f …
26эпитаксия металлоорганического соединения из паровой фазы — garinė metalo ir organinio junginio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metallo organic vapor phase epitaxy vok. metallorganische Gasphasenepitaxie, f rus. эпитаксия металлоорганического соединения из паровой фазы, f… …
27Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) …
28ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они… …
29ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на, над, при и taxis расположение, порядок) ориентированная кристаллизация в ва на поверхности кристалла подложки. Э. используется в микроэлектронике и для получения композиц, материалов …
30ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение), ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). В ва могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Э. определяется условием сопряжения… …