chemical beam epitaxy


chemical beam epitaxy
 Chemical Beam Epitaxy
 (CBE)
 Хемоэпитаксия
  Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, в результате которого образование новой фазы происходит при химическом взаимодействии вещества подложки с веществом, поступающим из внешней среды. Полученный хемоэпитаксиальный слой отличается по составу как от вещества подложки, так и от вещества, поступающего на ее поверхность извне.

Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.. . 2009.

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  • Molecular-beam epitaxy — (MBE), is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late 1960s at Bell Telephone Laboratories by J. R. Arthur and Alfred Y. Cho.MethodMolecular beam epitaxy takes place in high vacuum or ultra high vacuum (10−8… …   Wikipedia

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  • Metalorganic vapour phase epitaxy — (MOVPE), also known as organometallic vapour phase epitaxy (OMVPE) or metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD), is a chemical vapour deposition method of epitaxial growth of materials, especially compound semiconductors from the surface… …   Wikipedia

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